Chemical Mechanical Planar ization (CMP) ist ein Polier verfahren, das in der Halbleiter industrie zur Herstellung von Wafern verwendet wird. Es ist eine Technologie im Herstellungs prozess von Halbleiter bauelementen, bei der chemische Korrosion und mechanische Kraft verwendet werden, um Silizium wafer oder andere Substrat materialien abzu flachen. CMP-Lösungen haben den Prozess der Schaffung von mehr schicht igen Halbleitersc haltungen verbessert. Die zum chemischen Polieren verwendete Aufschlämmung wird allgemein als Schleif flüssigkeit oder Aufschlämmung bezeichnet. Aufgrund chemischer Instabilität und Verarbeitung schritte bilden sich langsam Gele und Agglomerate in der Aufschlämmung, und diese großen Partikel werden zur Oberfläche des Wafers transport iert, was zu Defekten wie Mikro kratzern auf der Wafer oberfläche führt und zu einem erheblichen Verlust der Wafer ausbeute führt. Daher ist die CMP-Filtration entscheidend für die Beseitigung von Defekten, die große Partikel und Agglomerationen verursachen, ohne die Polier leistung zu beeinträchtigen. Das Transports ystem ist unten dargestellt:
Arbeitsplatz | Funktion | Empfohlene Filter patronen serie | Empfohlene Filter gehäuse serie |
---|---|---|---|
1 Grobe Filtration | Filtert größere Partikel, um nach geschaltete Filter zu schützen |
|
|
2 Feine Filtration | Filtert kleinere Partikel |
|
|
3 Terminal filtration | Entfernen Sie verbleibende Partikel, um die Prozess anforderungen zu erfüllen |
|
-- |